占据 AlAs 中多个谷的二维电子
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v1 强关联电子
摘要
AlAs 量子阱中的二维电子占据布里渊区 X 点的多个导带最小值。与标准的 GaAs 电子相比，这些谷具有较大的有效质量和 g 因子，并且也是高度各向异性的。通过适当选择阱宽并在平面内施加对称性破缺应变，可以控制不同谷的占据，从而产生具有可调有效质量、g 因子、费米轮廓各向异性和谷简并度的系统。在这里，我们回顾了该系统使我们能够探索的一些丰富物理。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606158,
title = {Two-dimensional electrons occupying multiple valleys in AlAs},
author = {M. Shayegan and E. P. De Poortere and O. Gunawan and Y. P. Shkolnikov and E. Tutuc and K. Vakili},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606158},
year = {2015}
}
备注
short review article, submitted for publication