AlAs二维电子体低温下的巨大皮姆热阻效应
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 强关联电子
摘要
我们对调制掺杂AlAs量子井中的皮姆热阻进行测量，其中二维电子体系统占据两个具有椭圆费米轮廓的导带阱 Valley。我们的数据表明，在低温下，该系统的应变计因子（电阻的比例变化除以样品的比例长度变化）超过10000。此外，在垂直于二维体系平面的适度磁场存在时，可实现计因子最高可达56000。皮姆热阻数据可通过考虑区间阱电荷转移的简单模型进行定性解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411741,
title = {Giant low-temperature piezoresistance effect in AlAs two-dimensional electrons},
author = {Y. P. Shkolnikov and K. Vakili and E. P. De Poortere and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411741},
year = {2007}
}