AlAs 2 维电子量子半导体磁铁的临界电阻
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2
摘要
AlAs 二维电子在磁场下的磁相变会在量子霍尔效应中引发尖锐的电阻尖峰。这些尖峰很可能由磁域壁以下的载流子散射引起。在我们的数据中，尖峰宽度和�幅的温度依赖性显示出临界行为，从而推导出量子半导体磁铁的 Curie 温度。我们的数据还表明，Curie 温度随载流子密度单调增加。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0304507,
title = {Critical Resistance of the Quantum Hall Ferromagnet in AlAs 2D Electrons},
author = {E. P. De Poortere and E. Tutuc and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0304507},
year = {2007}
}
备注
Added a figure & minor corrections to text; to appear in Phys. Rev. Lett