铁磁锰氧化物化合物中的霍尔电阻率
凝聚态物理
2009-10-28 v1
摘要
研究了锰氧化物薄膜中霍尔效应和磁性的温度依赖性和磁场依赖性。在全部温度范围内，针对各种磁场获得了自发磁化强度和霍尔电阻率。结果表明，小磁场下的霍尔电阻率在居里点附近表现出最大值，而强磁场将霍尔电阻率峰的位置移至更高温度并抑制峰值。强磁场下霍尔电阻的变化可能大于纵向电阻的变化。铁磁锰氧化物薄膜中的异常霍尔电阻率归因于自旋关联涨落散射。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9606030,
title = {Hall Resistivity in Ferromagnetic Manganese-Oxide Compounds},
author = {Liang-Jian Zou},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9606030},
year = {2009}
}
备注
Latex, 2 Figures, 10 Pages