高 Tc 铁锰镍砷薄膜中的霍尔效应与空穴浓度
材料科学
2007-05-23 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
通过研究一系列低电阻 Ga1-xMnxAs 样品中的霍尔效应，获得了空穴浓度 p、Mn 浓度 x 以及 Curie 温度 Tc 在 0.015 <= x <= 0.08 范围内的准确数值。空穴浓度在低 x 处对应于 Mn 浓度的 90%，当 Tc=125K 且 x=0.06 时达到最大值 1.0x10^27 m^-3。该数据允许对均场预测的 Curie 温度与实验在宽 x 范围内进行第一次有意义的比较。理论与实验在定性上一致，但在大 x 处高估 Tc，在低 x 处低估 Tc。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0205517,
title = {The Hall effect and hole densities in high Tc GaMnAs thin films},
author = {K. W. Edmonds and K. Y. Wang and R. P. Campion and A. C. Neumann and C. T. Foxon and B. L. Gallagher and P. C. Main},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0205517},
year = {2007}
}
备注
Submitted to Appl. Phys. Lett., 8 pages, 4 figs