绝缘性 Ga1-xMnxAs 中的反常霍尔效应
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们研究了 Te 掺杂对 Ga1-xMnxAs (x = 0.085) 反常霍尔效应的影响。对于这一相对较高的 x 值，电阻率的温度依赖性表现出绝缘行为。众所周知，在 Ga1-xMnxAs 中 Mn 离子天然作为受主。额外的 Te 施主掺杂降低了居里温度并增加了反常霍尔电阻率。随着 Te 浓度的增加，Ga1-xMnxAs 中的长程铁磁序最终消失，取而代之的是观察到顺磁-自旋玻璃转变。我们利用 Kaminski 和 Das Sarma [Phys.Rev.Lett. 88, 247202 (2002)] 提出的磁极化子渗流理论，估算了在 Ga1-xMnxAs (x = 0.085) 中建立铁磁序所需的空穴临界浓度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0408446,
title = {Anomalous Hall effect in insulating Ga1-xMnxAs},
author = {Sh. U. Yuldashev and H. C. Jeon and H. S. Im and T. W. Kang and S. H. Lee and J. K. Furdyna},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0408446},
year = {2009}
}
备注
15 pages, 5 figures. Phys. Rev. B (to be published)