低温退火 (Ga,Mn)As 外延层中显著增强的居里温度
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们报道了在以相对较低的 As:Ga 束流等效压强比生长并经退火处理的 Ga1-xMnxAs 外延层中，居里温度高达 150 K。多种测量手段（磁化强度、霍尔效应、磁圆二色性和拉曼散射）表明，较高的铁磁转变温度源于增强的自由空穴密度。数据还表明，除载流子浓度外，样品厚度也限制了该材料中可达到的最高居里温度——这意味着 Ga1-xMnxAs 外延层的自由表面对其物理性质的决定具有重要作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210426,
title = {Highly enhanced Curie temperatures in low temperature annealed (Ga,Mn)As epilayers},
author = {K. C. Ku and S. J. Potashnik and R. F. Wang and M. J. Seong and E. Johnston-Halperin and R. C. Meyers and S. H. Chun and A. Mascarenhas and A. C. Gossard and D. D. Awschalom and P. Schiffer and N. Samarth},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210426},
year = {2009}
}
备注
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