铁磁 GaMnAs 的基本铁磁临界温度极限
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们提供了实验证据表明，~110 K 这一常观察到的 Ga(1-x)Mn(x)As 的铁磁临界温度 T_C 上限是由费米级引起的空穴饱和所致。对一系列 Ga(1-x-y)Mn(x)Be(y)As 层进行离子通道、电气和磁化测量，发现随 Be 浓度增加，Mn 杂质内位浓度显著增加，同时 T_C 降低，而自由空穴浓度保持在约 ~5x10^20 cm^-3。这些结果表明，自由空穴浓度和铁磁活性 Mn 自旋浓度由费米级位置控制，其决定了补偿性 Mn 内位捐献体的形成能。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0303217,
title = {Fundamental Curie temperature limit in ferromagnetic GaMnAs},
author = {K. M. Yu and W. Walukiewicz and T. Wojtowicz and W. L. Lim and X. Liu and U. Bindley and M. Dobrowolska and J. K. Furdyna},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0303217},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 3 figures