Curie温度与Ga1-xMnxAs场效应结构中的空穴浓度关系
材料科学
2015-05-18 v1
摘要
研究铁磁半导体(Ga,Mn)As薄膜中Curie温度TC随空穴浓度p的变化规律。通过传输测量探测磁性，p通过场效应晶体管配置中的外部电场进行调制。发现TC与p的幂次关系为TC ∝ p^γ，其中指数γ = 0.19 ± 0.02，在广泛的Mn组成和层厚度范围内均成立。该γ值大小由p-d Zener模型再现，模型中考虑了沿生长方向非均匀空穴分布，这种分布由界面态和施加的栅极电场决定。
引用
@article{arxiv.1001.3909,
title = {Curie temperature versus hole concentration in field-effect structures of Ga1-xMnxAs},
author = {Y. Nishitani and D. Chiba and M. Endo and M. Sawicki and F. Matsukura and T. Dietl and H. Ohno},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.3909},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 7 figures