覆盖层对(Ga,Mn)As磁性深度分布的影响
材料科学
2009-11-10 v2
摘要
退火可以提高未覆盖(Ga,Mn)As薄膜的居里温度和净磁化强度,但当薄膜被GaAs覆盖时,这些效应被抑制。先前对未覆盖(Ga,Mn)As的极化中子反射率(PNR)研究揭示了明显的磁化梯度,该梯度在退火后减小。我们将这项研究扩展到GaAs覆盖的(Ga,Mn)As。我们观察到退火后居里温度或净磁化强度没有增加。此外,PNR测量表明,退火对深度依赖的磁化强度产生极小差异,因为生长态和退火态薄膜都具有显著的磁化梯度。这些结果表明,GaAs覆盖层抑制了退火过程中间隙Mn杂质的重新分布。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409270,
title = {Effects of Capping on the (Ga,Mn)As Magnetic Depth Profile},
author = {B. J. Kirby and J. A. Borchers and J. J. Rhyne and K. V. O'Donovan and T. Wojtowicz and X. Liu and Z. Ge and S. Shen and J. K. Furdyna},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409270},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 3 figures, submitted to Applied Physics Letters