(Ga,Mn)As 层间通过非磁性间隔层耦合的确凿证据
材料科学
2009-11-13 v2
摘要
我们利用极化中子反射术研究了一系列 (Al,Be,Ga)As/(Ga,Mn)As/GaAs/(Ga,Mn)As 多层样品中各层的结构和磁学性质。在结构上，我们观察到除了 GaAs 间隔层厚度（变化范围为 3-12 nm）外，样品几乎完全相同，并确认间隔层中含极少或不含 Mn。在磁学上，我们观察到对于具有最厚间隔层的样品，(Al,Be,Ga)As 的调制掺杂导致 (Ga,Mn)As 层具有截然不同的温度依赖性磁化强度。然而，随着间隔层厚度的减小，顶部和底部 (Ga,Mn)As 层的温度依赖性磁化强度变得越来越相似——我们发现这一趋势与自旋磁化的晶体学方向无关。这些结果确凿地表明，(Ga,Mn)As 层可以跨越非磁性间隔层发生耦合，且这种耦合依赖于间隔层厚度。
引用
@article{arxiv.0708.2289,
title = {Definitive Evidence of Interlayer Coupling Between (Ga,Mn)As Layers Separated by a Nonmagnetic Spacer},
author = {B. J. Kirby and J. A. Borchers and X. Liu and Y. J. Cho and M. Dobrowolska and J. K. Furdyna},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.2289},
year = {2009}
}
备注
Submitted to Physical Review B