(311)A GaAs 二维空穴体系中各向异性的低温压阻效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们报道了在调制掺杂的 (311)A GaAs 二维空穴体系中,作为面内应变函数的低温电阻测量结果。数据揭示出一种强而各向异性的压阻效应,其大小依赖于空穴密度以及电阻测量的方向。例如,在密度为 cm、沿 [01] 方向施加约 的应变时,沿该方向测得的电阻变化近两倍,而沿 [33] 方向电阻变化小于 10% 且符号相反。我们精确的能带计算表明,重空穴色散关系随应变发生显著且各向异性的形变,这与实验数据定性一致。然而,压阻效应在幅度上的极端各向异性尚缺乏定量解释。
引用
@article{arxiv.0706.0736,
title = {Anisotropic low-temperature piezoresistance in (311)A GaAs two-dimensional holes},
author = {B. Habib and J. Shabani and E. P. De Poortere and M. Shayegan and R. Winkler},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.0736},
year = {2009}
}
备注
4 pages. Submitted to Applied Physics Letters