窄带隙 Eu5In2Sb6 中的巨压阻效应

压阻效应是指材料的电阻（$R$）随外加机械应力（$\sigma$）变化的现象，是应变片、加速度计和悬臂力传感器等机电器件的工作原理。传统上，增强的压阻效应在两类无关联材料中观察到：非磁性半导体和复合结构。我们报道了在 Eu$_5$In$_2$Sb$_6$ 单晶中发现的极大压阻效应，其中由于电子相互作用，各向异性金属团簇在半导体基质中自然形成。Eu$_5$In$_2$Sb$_6$ 表现出高度各向异性的压阻，沿 [001] 方向仅 0.4~GPa 的单轴压力导致电阻率下降超过 99.95%，从而产生 $5000\times10^{-11}$Pa$^{-1}$ 的巨压阻因子。我们的结果不仅揭示了相互作用和相分离在实现巨压阻中的作用，还突出了通向对压力和磁场均有大响应的多功能器件的新途径。