金属/硅混合结构中的巨室温压阻效应
材料科学
2010-11-15 v1
摘要
金属/半导体混合结构是人工构建的结构，展现出单一组分材料所不具备的新颖特性。本文展示了一种由硅和铝构成的混合结构中的巨压阻效应。在室温下测得的最大压阻灵敏系数（GF）为 843，而体均匀硅的 GF 为 -93。这种压阻增强并非源于硅/铝界面，而是源于硅电导率中由应力诱导的各向异性，该各向异性在单轴拉伸应变下将电流从导电性极高的铝中转移出去。通过计算混合电阻率加权函数，证明其幅度仅取决于混合结构各组成部分的几何排列。
引用
@article{arxiv.0803.0655,
title = {Giant room temperature piezoresistance in a metal/silicon hybrid},
author = {A. C. H. Rowe and A. Donoso-Barrera and Ch. Renner and S. Arscott},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.0655},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 4 figures, accepted for publication in Physical Review Letters