室温下Sr₂IrO₄薄膜中巨大的可逆纳米尺度压电电阻效应
材料科学
2015-04-22 v1
摘要
层状铱氧化物因其异常强的自旋轨道耦合而受到广泛关注，这种耦合在原本应为金属的材料中打开了一个窄隙。这种绝缘态对外部扰动非常敏感。在这里，我们表明使用标准扫描探针显微镜尖端施加的纳米尺度垂直压缩，能够在室温下使Sr₂IrO₄的电阻率产生五个数量级的变化。电子结构对各向异性形变的极端敏感性为这种材料开辟了新的研究角度，而巨大的、完全可逆的垂直压电电阻效应使铱氧化物成为室温压电电子器件的有前景材料。
引用
@article{arxiv.1504.05245,
title = {Giant reversible nanoscale piezoresistance at room temperature in Sr2IrO4 thin films},
author = {Neus Domingo and Laura López-Mir and Marcos Paradinas and Vaclav Holy and Jakuv Zelezny and Di Yi and Siriyara J. Suresha and Jian Liu and Claudy Rayan-Serrao and Ramamoorthy Ramesh and Carmen Ocal and Xavi Martí and Gustau Catalan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.05245},
year = {2015}
}