反铁磁 Sr2IrO4 中的各向异性磁电阻
介观与纳米尺度物理
2014-12-03 v2 材料科学
摘要
我们报道了在反铁磁 (AFM) Mott 绝缘体 Sr2IrO4 单晶中利用点接触技术测量的各向异性磁电阻 (AMR)。此处点接触技术被用作纳米尺度磁输运性质的局域探针。液氮温度下的测量显示，当在 IrO2 a-b 平面内施加适度磁场 (250 mT) 且电流垂直于该平面流动时，出现了负磁电阻 (MR)（高达 28%）。MR 的角度依赖性显示出随着磁场增加，对称性从四重对称转变为二重对称，电阻的角度变化范围为 1-14%。我们初步将四重对称归因于 AMR 的晶体分量，而场诱导的跃迁则归因于外加磁场对 Sr2IrO4 中 AFM 耦合矩倾斜的影响。与 3d 过渡金属合金/氧化物中的晶体 AMR (0.1-0.5%) 相比，观测到的 AMR 非常大，这可归因于该 5d 氧化物中巨大的自旋 - 轨道相互作用，而该跃迁提供了电子输运、磁有序和轨道态之间存在关联的证据。本工作的发现开辟了一条全新的途径，不仅有助于深入理解与自旋 - 轨道耦合相关的物理，还能以更技术上有利的方式更好地利用自旋电子学。
引用
@article{arxiv.1409.3491,
title = {Anisotropic magnetoresistance in antiferromagnetic Sr2IrO4},
author = {Cheng Wang and Heidi Seinige and Gang Cao and Jian-Shi Zhou and John B. Goodenough and Maxim Tsoi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.3491},
year = {2014}
}
备注
13 pages, 3 figures