反铁磁金属 IrMn 中的等温各向异性磁电阻
材料科学
2016-10-24 v1
摘要
反铁磁自旋电子学是一个新兴领域；反铁磁体可以提高铁磁体的功能，具有更高的响应时间，并使信息免受外部磁场的影响。此外，存在大量奈尔温度高于室温的反铁磁半导体和金属。在本文中，我们致力于探索具有非常大自旋轨道耦合的反铁磁材料中各向异性磁电阻的最大极限。我们选择了 IrMn 作为一流磁矩 (Mn) 和自旋轨道 (Ir) 组合的典型例子。我们在反铁磁金属 (IrMn)/铁磁绝缘体薄膜双层结构中进行了等温磁输运测量。两层之间存在磁耦合的金属/绝缘体结构允许专门测量反铁磁层中输运性质的调制。发现了高达 0.15% 的各向异性磁电阻，这远大于裸 IrMn 层的值。有趣的是，观察到各向异性磁电阻强烈受到场冷却条件的影响，表明所发现的响应依赖于磁有序温度下畴的形成。
引用
@article{arxiv.1607.07999,
title = {Isothermal anisotropic magnetoresistance in antiferromagnetic metallic IrMn},
author = {R. Galceran and I. Fina and J. Cisneros-Fernández and B. Bozzo and C. Frontera and L. López-Mir and H. Deniz and K. -W. Park and B. -G. Park and Ll. Balcells and X. Martí and T. Jungwirth and B. Martínez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.07999},
year = {2016}
}