NiFe/IrMn/MgO/Pt堆叠中的隧穿各向异性磁电阻：基于反铁磁体的自旋阀
材料科学
2010-11-16 v1
摘要
自旋阀是一种微电子器件，通过利用载流子的电荷和自旋来实现高、低电阻态。现代硬盘读取磁头和磁性随机存取存储器中使用的自旋阀结构包含两个铁磁（FM）电极，其相对磁化方向可在平行和反平行构型之间切换，从而产生所需的巨磁电阻或隧穿磁电阻效应。本文中，我们展示了在NiFe/IrMn/MgO/Pt堆叠中，隧穿势垒一侧为反铁磁体（AFM）、另一侧为非磁性金属时，可获得超过100%的自旋阀类信号。NiFe中的铁磁矩由小于50 mT的外场反转，而NiFe对IrMn的交换弹簧效应诱导了IrMn中反铁磁矩的旋转，这通过测量的隧穿各向异性磁电阻（TAMR）检测到。我们的工作展示了一种输运特性由反铁磁体控制的自旋电子学元件。它表明，使用单个磁性电极，可以将对低磁场的敏感性与大的自旋轨道耦合诱导的磁输运各向异性相结合。AFM-TAMR提供了一种通过电子输运测量研究反铁磁薄膜磁特性的方法。
引用
@article{arxiv.1011.3188,
title = {Tunneling anisotropic magnetoresistance of NiFe/IrMn/MgO/Pt stack: An antiferromagnet based spin-valve},
author = {B. G. Park and J. Wunderlich and X. Marti and V. Holy and Y. Kurosaki and M. Yamada and H. Yamamoto and A. Nishide and J. Hayakawa and H. Takahashi and A. B. Shick and T. Jungwirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.3188},
year = {2010}
}
备注
8 pages, 4 figures