硅纳米线和微米线中的巨压阻效应
介观与纳米尺度物理
2010-11-24 v1 材料科学
摘要
先前报道的硅纳米线中的巨压阻效应，在大量表面耗尽的硅纳米和微米结构中得到了实验研究。结果表明，由于电子和空穴在样品表面的俘获，电阻随时间强烈变化。重要的是，这种随时间变化的电阻表现为一种明显的巨压阻效应，与其它地方报道的相同。通过随时间调制施加的应力，发现这些结构的真实压阻效应与体硅相当。
引用
@article{arxiv.1010.1633,
title = {On giant piezoresistance effects in silicon nanowires and microwires},
author = {J. S. Milne and S. Arscott and C. Renner and A. C. H. Rowe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.1633},
year = {2010}
}