具有本征氧化层表面态的硅纳米线的力学性质

硅纳米线因在纳米机电系统与纳米电子学中的广泛应用而备受关注。分子动力学模拟是研究纳米线力学性质的有力工具。然而，这些模拟在解释硅纳米线的力学行为及脆延转变时面临挑战，主要源于表面效应，例如对未重构表面态的假设。本研究聚焦于具有本征氧化层的硅纳米线的拉伸变形，考量了截面形状、长细比、温度、纳米孔洞的存在以及应变率等关键参数。通过引入本征氧化层，本文旨在更真实地刻画不同临界尺寸与晶向硅纳米线的力学行为。相关发现推进了对硅纳米线尺寸依赖的弹性性质与强度的认识。