纳米尺度下硅的低温干法氧化动力学：建模与实验
材料科学
2012-10-08 v2 计算物理
摘要
在 Deal-Grove 模型适用性受限的低温纳米尺度范围内，对硅的干法氧化动力学进行了理论与实验研究。基于对氧化过程条件的精细控制，实验得以探究纳米级氧化层的生长动力学。理论模型采用反应速率方法构建。在此框架下，通过反应过程中各种组分的演化来估算氧化层厚度。将标准氧化模型和反应速率方法与这些实验进行了对比，清晰展示了反应速率方法在改进纳米尺度硅氧化建模方面的优势。
引用
@article{arxiv.1106.3160,
title = {Silicon dry oxidation kinetics at low temperature in the nanometric range: Modeling and experiment},
author = {Christophe Krzeminski and Guilhem Larrieu and Julien Penaud and Evelyne Lampin and Emmanuel Dubois},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.3160},
year = {2012}
}