湿硅表面的应力驱动氧化化学
材料科学
2009-04-15 v1
摘要
本文通过第一性原理分子动力学模拟，研究了湿条件下Si(001)上羟基化原生氧化层的形成。研究发现，水分子在氧化表面吸附并解离，导致Si-O键断裂，并产生反应位点以供溶解的双氧或过氧化氢分子攻击。研究发现拉伸应变增强了水解离吸附的驱动力，这表明类似的反应可能是硅中环境驱动的亚临界裂纹扩展的原因。
引用
@article{arxiv.0904.2091,
title = {Stress-driven oxidation chemistry of wet silicon surfaces},
author = {Lucio Colombi Ciacchi and Daniel J. Cole and Mike C. Payne and Peter Gumbsch},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.2091},
year = {2009}
}