Si偏析α-Ti(0001)表面氧化的第一性原理研究
材料科学
2017-12-06 v1
摘要
采用密度泛函理论研究了α-Ti(0001)表面的氧化。为增强抗氧化性，我们用Si原子替代了Ti(0001)表面中的Ti原子。我们观察到，与其他次表面层相比，Si更倾向于偏析在Ti(0001)的表面层。Si在Ti(0001)表面的溶解度估计约为75 at.%。虽然发现Si偏析降低了氧原子与Ti(0001)表面之间的结合力，但氧向板层内部扩散的势垒却增加了。在纯净和Si偏析的Ti表面上，氧分子的解离均被发现是无势垒的。总体而言，Ti(0001)表面的Si偏析被发现阻碍了氧在Ti中的溶解。
引用
@article{arxiv.1708.05481,
title = {First principles study of oxidation of Si segregated {\alpha}-Ti(0001) surfaces},
author = {Somesh Kr. Bhattacharya and Ryoji Sahara and Tomonori Kitashima and Kyosuke Ueda and Takayuki Narushima},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.05481},
year = {2017}
}