表面结构与应变对 InGaAs 中铟偏析的影响：一项第一性原理研究
材料科学
2020-10-28 v1
摘要
本文基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了 InGaAs 中铟原子的表面偏析。通过计算 GaAs 的 (100)、(110) 和 (111) 表面的偏析能，我们分析了表面取向对铟偏析的决定性作用。此外，我们的计算揭示偏析能随外加应变的变化强烈依赖于表面重构。所获得的偏析能趋势通过基于积分晶体轨道哈密顿布居探测的原子键合加以讨论。本文呈现的结果有望指导实验工作，通过调控 As 束流并施加应变来实现对 In 偏析的控制。
引用
@article{arxiv.2010.14106,
title = {Influence of surface structure and strain on indium segregation in InGaAs: a first-principles investigation},
author = {Soumya S. Bhat and Satadeep Bhattacharjee and Jung-Hae Choi and Seung-Cheol Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.14106},
year = {2020}
}