高应变非对称 InGaAs/GaAs 量子阱中互混效应的建模
介观与纳米尺度物理
2015-10-23 v1
摘要
本工作中，我们理论研究了高应变 InGaAs/GaAs 量子阱 (QW) 中的互混效应，同时考虑了由原位铟表面偏析引起的组分分布变化。为研究偏析效应对生长后互混的影响，采用有限差分方法数值求解了一维稳态薛定谔方程和菲克第二扩散定律。针对不同的铟偏析系数，考虑了 In/Ga 互扩散对 QW 发射能量的影响。我们的结果表明，互混 QW 发射能量强烈依赖于偏析效应。发现对于较高的偏析系数，互扩散增强的能量偏移被显著减小。该工作为理解和建模半导体纳米结构中的互扩散效应提供了重要见解。
引用
@article{arxiv.1510.06539,
title = {Modelling the intermixing effects in highly strained asymmetric InGaAs/GaAs quantum well},
author = {M. Souaf and M. Baira and H. Maaref and B. Ilahi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.06539},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 4 figures