基于低损耗电子能量损失谱法评估单层InₓGa₁₋ₓAs量子阱中局部带隙
材料科学
2025-11-26 v2
摘要
采用高分辨率扫描透射电子显微镜和低损失电子能量损失谱技术，对GaAs基板上单层InₓGa₁₋ₓAs量子阱(QW)中局部带隙(Eg)、铅含量及应变分布进行关联性研究。研究结果显示，铅含量和应变分布在量子阱界面处存在显著不均匀性，单个量子阱间的Eg存在细微差异。通过密度泛函理论模拟进一步探讨了应变、组成与Eg之间的相互作用，表明Eg的变化主要受铅含量影响，应变作用较小。观察到的局部不均匀性表明，单个量子阱之间的差异可能影响最终器件的集体发射及性能。该研究强调了在理解和优化多量子阱构成的变形激光器电子与光学性质方面，空间分辨分析的重要性。
引用
@article{arxiv.2406.06816,
title = {Evaluating the local bandgap across InxGa1-xAs multiple quantum wells in a metamorphic laser via low-loss EELS},
author = {Nicholas Stephen and Ivan Pinto-Huguet and Robert Lawrence and Demie Kepaptsoglou and Marc Botifoll and Agnieszka Gocalinska and Enrica Mura and Quentin Ramasse and Emanuele Pelucchi and Jordi Arbiol and Miryam Arredondo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.06816},
year = {2025}
}