电场对宽量子阱中激子的作用
介观与纳米尺度物理
2026-01-26 v1
摘要
本文提出一种微观模型，用于研究量子阱（QW）中激子行为。研究施加于GaAs/AlGaAs QW结构的0至6 kV/cm电场（沿生长方向）对几种宽度至多100 nm的QW中激子行为的影响。通过有限差分法数值求解3维激子薛定谔方程（SE）。计算重空穴和轻空穴激子的波函数和能量。确定激子态能、束缚能、辐射宽化和静电偶极矩随施加电场的依赖关系。还确定100 nm QW的激子解离阈值。此外，我们发现电场可导致重空穴和轻空穴激子在QW中质心的位移。最后，我们利用计算得到的激子能量和辐射宽化，建模了GaAs/AlGaAs QW结构在电场下的反射光谱。
引用
@article{arxiv.2412.05392,
title = {Effect of electric field on excitons in wide quantum wells},
author = {Shiming Zheng and E. S. Khramtsov and I. V. Ignatiev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.05392},
year = {2026}
}
备注
12 pages, 8 figures, to be published in Physical Review B