非均匀电场中半导体量子阱内的激子凝聚
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
研究了在金属电极含有一个圆形窗口的情况下，施加横向电场的半导体双量子阱中激子密度分布的结构出现。提出存在激子凝聚相，其自由能可用唯象的朗道模型描述。为确定激子密度，使用了为有限激子寿命、存在泵浦和系统非均匀性情况而推广的传统相变理论。结果表明，在高激子密度下会出现不同类型的结构：激子凝聚相岛的周期性分布或凝聚相环。分析了这些结构随泵浦、窗口尺寸和温度的变化行为。所得结果与实验数据相符。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702392,
title = {Exciton condensation in semiconductor quantum wells in nonuniform electric field},
author = {A. A. Chernyuk and V. S. Kopp and V. I. Sugakov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702392},
year = {2007}
}
备注
9 pages, 6 figures