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耦合量子阱中间接激子的图案形成

介观与纳米尺度物理 2009-11-11 v2

摘要

使用包含短程两体吸引和三体排斥的非线性薛定谔方程,我们研究了半导体耦合量子阱中间接激子的空间分布。所得结果可以解释实验现象:当杂质势阱中受限激子数量增加时,环形激子云先收缩后膨胀,正如Lai等人[Lai etal.et al., Science \textbf{303}, 503 (2004)]所观察到的。特别是,该模型调和了Butov等人[Butov etal.et al., Nature \textbf{418}, 751 (2002)]报道的激子环图案。在更高密度下,该模型预言了更丰富的图案,这可以通过未来的实验进行检验。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0604564,
  title  = {Pattern formation of indirect excitons in coupled quantum wells},
  author = {C. S. Liu and H. G. Luo and W. C. Wu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0604564},
  year   = {2009}
}

备注

5 Revtex4 pages, 3 figures