耦合量子阱中间接激子的图案形成
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2
摘要
使用包含短程两体吸引和三体排斥的非线性薛定谔方程,我们研究了半导体耦合量子阱中间接激子的空间分布。所得结果可以解释实验现象:当杂质势阱中受限激子数量增加时,环形激子云先收缩后膨胀,正如Lai等人[Lai , Science \textbf{303}, 503 (2004)]所观察到的。特别是,该模型调和了Butov等人[Butov , Nature \textbf{418}, 751 (2002)]报道的激子环图案。在更高密度下,该模型预言了更丰富的图案,这可以通过未来的实验进行检验。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0604564,
title = {Pattern formation of indirect excitons in coupled quantum wells},
author = {C. S. Liu and H. G. Luo and W. C. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0604564},
year = {2009}
}
备注
5 Revtex4 pages, 3 figures