具有双隧道耦合量子阱的n-InGaAs/GaAs异质结构中的电阻开关效应
介观与纳米尺度物理
2022-02-07 v1 材料科学
摘要
本文研究了在不同掺杂分布的单隧道和双隧道耦合量子阱（QW）中，由强纵向（在量子阱平面内）电场短脉冲冲击引起的电导率行为。研究确立，在低温（4 K）下，经受该冲击后，在较窄量子阱中含杂质δ掺杂层的非对称量子阱对中，可观察到电导升高的长期亚稳态。在其他构型的结构中未观察到此现象。所观察到的效应可通过一个模型来解释，该模型考虑了强电场脉冲所引起的所研究结构中电子能态谱的亚稳态变化。
引用
@article{arxiv.2111.02877,
title = {Resistive switching effect in the n-InGaAs/GaAs heterostructures with double tunnel-coupled quantum wells},
author = {P. A. Belevskii and M. N. Vinoslavskii and V. V. Vainberg and O. S. Pylypchuk and V. N. Poroshin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.02877},
year = {2022}
}
备注
12 pages, 5 figures