混合量子点-量子阱纳米结构中磁场控制的激子转移
介观与纳米尺度物理
2019-07-24 v1 材料科学
摘要
我们对混合 InAs/GaAs 量子点- InGaAs 量子阱结构的载流子转移进行了磁光致发光研究，其中我们观察到在强磁场和激发密度下，光致发光对 GaAs 势垒厚度存在异常的依赖关系。对于薄势垒的情况，观察到量子阱的 PL 强度增加，而量子点的 PL 强度相应减弱。这归因于磁场增加导致的量子阱和浸润层中的面间载流子动力学变化，以及量子点激发态与量子阱和浸润层中激子态之间耦合的变化。
引用
@article{arxiv.1902.05812,
title = {Magnetically controlled exciton transfer in hybrid quantum dot-quantum well nanostructures},
author = {V. Laurindo and Yu. I. Mazur and E. R. Cardozo de Oliveira and B. Alén and M. E. Ware and E. Marega and Z. Ya. Zhuchenko and G. G. Tarasov and G. E. Marques and M. D. Teodoro and G. J. Salamo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.05812},
year = {2019}
}