Be-δ掺杂背栅诱导量子阱中的光致发光测量
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2
摘要
测量了具有背栅的 Be-δ掺杂 GaAs/AlGaAs 量子阱中二维电子体的光致发光 (PL) 谱。通过改变背栅电压控制电子密度从 1×10^9 cm^{-2} 到 2.5×10^{11} cm^{-2}。背栅电压增大时，1.49 eV 附近接受器 PL 谱呈线性增大，而在 1.2×10^{10} cm^{-2} 时，背栅电压增大导致 1.51 eV 附近受中性 donors 束缚的激子 (D^{0}X) 的 PL 消失。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0405552,
title = {Photoluminescence measurements in Be-delta-doped back-gate induced quantum well},
author = {M. Yamaguchi and S. Nomura and D. Sato and T. Akazaki and H. Tamura and H. Takayanagi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0405552},
year = {2009}
}
备注
3 pages