狭量子阱中的电子空穴体系：激子复合物与光致发射
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
研究了二维电子气（2DEG）与价带空穴相互作用的能量和光致发射（PL）谱，作为填充因子ν和电子、空穴层间分离d的函数，在高磁场极限下。当d小于磁长度λ时，空穴与一个或多个电子结合形成中性（X）或带电（X-）激子，PL探测这些复合物的寿命和结合能，而非原始的2DEG关联。低能态可理解为由构成该体系的带电费米子（电子和X-）之间拉赫林类型关联。当d远大于λ时，电子-空穴相互作用不足以结合完整电子，形成部分带电激子（空穴与一个或多个拉赫林准电子结合的束缚态）。PL选则规则与旋转不变性（L守恒）只在相互作用等离子体中弱违反，PL线的位置和振荡强度可被预测并与数值计算比较。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0010487,
title = {Electron-Hole Systems in Narrow Quantum Wells: Excitonic Complexes and Photoluminescence},
author = {John J. Quinn and Arkadiusz Wojs and Kyung-Soo Yi and Izabela Szlufarska},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0010487},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 1 fig, invited talk at ARW on Semicond. Struct. (Queenstown, New Zealand, 2001)