单层石墨烯中电子与空穴的寿命
介观与纳米尺度物理
2019-02-26 v2 材料科学
摘要
单层电子掺杂石墨烯中的受激导带电子、导带空穴与价带空穴表现出不寻常的库仑衰变率。利用屏蔽交换能研究了去激发过程。根据准粒子态与费米能的不同，它们可利用带内单粒子激发 (SPEs)、带间 SPEs 以及等离激元模式。低能价带空穴可通过无阻尼声学等离激元衰变，从而呈现极快的库仑去激发、非单调的能量依赖以及各向异性行为。然而，低能导带电子与空穴类似于二维电子气中的情形。较高能导带态与较深能价带态在可用的去激发通道上表现相似，并且衰变率对波矢 的依赖也类似。
引用
@article{arxiv.1812.11052,
title = {Electron and hole lifetime in monolayer graphene},
author = {Chih-Wei Chiu and Chiun-Yan Lin and Rong-Bin Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.11052},
year = {2019}
}