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石墨烯结构中的电子-电子与电子-空穴配对

介观与纳米尺度物理 2015-05-19 v1

作者: Yu. E. Lozovik , S. L. Ogarkov , A. A. Sokolik

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摘要

本文考虑了掺杂石墨烯中由面内和面外声子引起的电子超导配对。研究表明，谷空间中的序参量结构显著影响配对条件。还考虑了强耦合机制下石墨烯双层中的电子-空穴配对。考虑屏蔽库仑配对势的延迟效应表明，电子-空穴直接吸引与由虚等离子体和单粒子激发引起的排斥之间存在显著竞争。

关键词

石墨烯超导配对电子-空穴配对声子介导序参量谷自由度屏蔽库仑势

引用

@article{arxiv.1005.4857,
  title  = {Electron-electron and electron-hole pairing in graphene structures},
  author = {Yu. E. Lozovik and S. L. Ogarkov and A. A. Sokolik},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1005.4857},
  year   = {2015}
}

备注

13 pages with 4 figures; accepted for publication in Phil. Trans. Roy. Soc. A