调制掺杂量子阱中载流子浓度的光学方法
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
提出一种光学方法，用于确定调制掺杂量子阱中二维电子浓度，适用于 10 至 2x10 cm 之间的低至中等电子密度。该方法基于对带电激子 (trion) 的磁光反射光谱的分析。带电激子的圆形偏振程度和振子强度包含关于二维电子气密度和自旋偏极化的信息。该方法应用于 CdTe/(Cd,Mg)Te 和 ZnSe/Zn,Mg)(S,Se) 异质结构。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111593,
title = {Optical Method for Determination of Carrier Density in Modulation Doped Quantum Wells},
author = {G. V. Astakhov and V. P. Kochereshko and D. R. Yakovlev and W. Ossau and J. Nurnberger and W. Faschinger and G. Landwehr and T. Wojtowicz and G. Karczewski and J. Kossut},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111593},
year = {2009}
}