量子霍尔系统平行导电层中载流子密度的测量
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
对两种平行导电层的实验分析确定了平行层的完整电阻张量，在磁场使得另一层处于量子霍尔态的条件下。在表明在掺杂层中存在平行导电的异构结构中，这一分析定量地确定了该掺杂层中的电荷密度，并可用于估算迁移率。为了说明一个应用，实验数据显示平行导电在掺杂异构结晶中发生磁场冻结。作为另一个例子，确定了最小填充的第二能带在二能带量子井中载流子密度。推导了一个简单公式，可从总系统的单次霍尔测量中估算高度电阻的平行层中的载流子密度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411520,
title = {Measuring carrier density in parallel conduction layers of quantum Hall systems},
author = {M. Grayson and F. Fischer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411520},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 7 figures