调制掺杂 Si/SiGe 量子井中金属-绝缘体转变路径上的屏蔽破坏
凝聚态物理
2009-10-31 v1
摘要
利用二维 (2D) 电子在 SiGe/Si 量子井中的自旋共振，我们确定载流子密度 n 对磁化率的依赖性。假设相互作用较弱，对费米能级处的态密度 D(E_F) 以及筛选波矢 q_TF 进行评估。这两者在较高载流子密度 n 时保持恒定，类似于理想的二维载流子气体。对于 n < 3×10^11 cm⁻² 时，两者下降并在 n = 7×10^10 cm⁻² 时外推至零。从 q_TF 计算得到的迁移率与实验值良好一致，证明了该方法的有效性。D(E_F) 的下降是由势阱引起的，其导致尾态出现，使得筛选效率降低——形成正反馈，进一步加剧势阱。即便在我们的高迁移率样品中，势阱仍超过电子-电子相互作用，导致形成直径至少为 1 微米的可移动载流子簇。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0010077,
title = {Screening Breakdown on the Route toward the Metal-Insulator Transition in Modulation Doped Si/SiGe Quantum Wells},
author = {Z. Wilamowski and N. Sandersfeld and W. Jantsch and D. Toebben and F. Schaeffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0010077},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures