HgTe 量子阱中的量子自旋霍尔绝缘体态
介观与纳米尺度物理
2007-10-03 v1
摘要
近期理论预测，量子自旋霍尔效应（一种存在于零外磁场下的根本性新颖量子物质态）可能在 HgTe/(Hg,Cd)Te 量子阱中实现。我们制备了具有低密度和高迁移率的此类样品结构，在其中我们可以通过外部门电压调节载流子导电性，从 n 型经过绝缘区转变到 p 型。对于阱宽 nm 的薄量子阱，绝缘区表现出低温下电导趋于零的常规行为。然而，对于较厚的量子阱（ nm），名义上的绝缘区显示出接近 的剩余电导平台。剩余电导与样品宽度无关，表明其由边缘态引起。此外，剩余电导会被微小的外磁场破坏。临界厚度 nm 处的量子相变也通过磁场诱导的绝缘体到金属转变独立确定。这些观察结果为量子自旋霍尔效应提供了实验证据。
引用
@article{arxiv.0710.0582,
title = {Quantum Spin Hall Insulator State in HgTe Quantum Wells},
author = {Markus Koenig and Steffen Wiedmann and Christoph Bruene and Andreas Roth and Hartmut Buhmann and Laurens W. Molenkamp and Xiao-Liang Qi and Shou-Cheng Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.0582},
year = {2007}
}
评论
16 pages, 5 figures