关于具有近晶格匹配势垒的 InAs 量子阱中迁移率的极限

本文报道了一系列限制于非故意掺杂、低扩展缺陷密度且具有 Al$_{1-x}$Ga$_{x}$Sb 势垒的 InAs 量子阱中的二维电子系统低温迁移率的生长及密度依赖性。通过利用双栅极器件独立研究迁移率对载流子密度和电场的依赖关系，确定了限制电子迁移率的散射机制。对可能散射机制的分析表明，在窄量子阱中迁移率主要受粗糙界面限制，而在宽阱中高载流子密度下（处于第一个被占据的电子子带内），迁移率受合金无序与界面粗糙度的共同限制。在低载流子密度下，迁移率对载流子密度的函数依赖关系为来自带电缺陷的库仑散射提供了证据。在 2 K 的样品温度下，实现了超过 750,000 cm$^{2}$/Vs 的栅极可调电子迁移率。