调制掺杂量子线的带隙重整
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
我们测量了调制掺杂、T 形量子线阵列的光致发光光谱，随着由表面栅极调制的 1d 电子密度 的变化。我们给出了该器件的自洽电子结构计算，显示出带隙重整，经校正后抑制了激子能及其屏蔽效应，对 基本不敏感，与数据定量地高度一致。该计算(参见 cond-mat/9908349)表明在包括屏蔽电子与缘于空穴的电子正交性方面的重要性。计算表明电子与空穴可保持绑定至 cm，因此激子的稳定性远超过保守的 Mott 准则。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9910002,
title = {Bandgap renormalization of modulation doped quantum wires},
author = {S. Sedlmaier and M. Stopa and G. Schedelbeck and W. Wegscheider and G. Abstreiter},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9910002},
year = {2007}
}
备注
4 pages, revtex, 4 figs