GW近似下光激发半导体量子线结构的带隙重整化

E. H. Hwang; S. Das Sarma

doi:10.1103/PhysRevB.58.R1738

GW近似下光激发半导体量子线结构的带隙重整化

介观与纳米尺度物理 2009-10-31 v1 强关联电子

作者: E. H. Hwang , S. Das Sarma

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摘要

我们研究了准一维(1D)光激发电子-空穴等离子体在带边处由电子-电子和电子-声子相互作用引起的动态自能修正。计算中采用领头阶 $GW$ 动态屏蔽近似，将电子-电子库仑相互作用和电子-光学声子Fr\"ohlich相互作用同等对待。我们计算了交换关联诱导的带隙重整化(BGR)作为电子-空穴等离子体密度和量子线宽度的函数。计算得到的BGR与现有实验结果吻合良好，且由有效准一维激子Rydberg归一化的BGR表现出近似单参数普适性。

关键词

带隙重整化 GW近似量子线电子-空穴等离子体电子-声子相互作用准一维

引用

@article{arxiv.cond-mat/9802096,
  title  = {Band gap renormalization in photoexcited semiconductor quantum wire structures in the GW approximation},
  author = {E. H. Hwang and S. Das Sarma},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9802096},
  year   = {2009}
}

备注

11 pages, 3 figures

GW近似下光激发半导体量子线结构的带隙重整化

摘要

关键词

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