CrSBr 的顺磁电子结构：从头算 GW 理论与角分辨光电子能谱的比较
强关联电子
2023-06-14 v1 材料科学
摘要
我们通过比较第一性原理计算与角分辨光电子能谱探究顺磁 CrSBr 的电子结构。我们在理论上使用容纳破缺长程序自旋构型的超胞来近似顺磁相，并应用准粒子自洽 理论，分别在不包含和包含对屏蔽库仑相互作用的激子顶点修正的情况下（即 QS 与 QS）进行计算。将准粒子能带结构计算与在 200 K 收集的角分辨光电子数据比较，结果高度吻合。这使我们能够从定性上解释某些能带的显著展宽源于破缺的磁长程序和/或垂直于晶体结构准二维层的电子色散。实验发现在 200 K 时带隙至少为 1.51 eV。在更低温度下，由于充电效应无法收集光电子数据，指向显著更大的带隙，这与计算所得的约 2.1 eV 带隙一致。
引用
@article{arxiv.2303.01292,
title = {Paramagnetic Electronic Structure of CrSBr: Comparison between Ab Initio GW Theory and Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy},
author = {Marco Bianchi and Swagata Acharya and Florian Dirnberger and Julian Klein and Dimitar Pashov and Kseniia Mosina and Zdenek Sofer and Alexander N. Rudenko and Mikhail I. Katsnelson and Mark van Schilfgaarde and Malte Rösner and Philip Hofmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.01292},
year = {2023}
}
备注
11 pages, 12 figures