CrSb 薄膜中交错磁带分裂的直接观测
材料科学
2024-03-11 v2
摘要
交错磁性代表一种新兴的共线磁相，具有补偿序以及非相对论能带结构中非常规的交替偶宇称波自旋序。我们通过自旋积分软 X 射线角分辨光电子能谱直接研究了费米能附近的这一非常规能带分裂。从所预测的交错磁体 CrSb 的外延薄膜上获取的实验角度依赖光发射强度，与相应的能带结构计算表现出稳健一致。特别地，我们在布里渊区中连接两个具对称性诱导简并点的低对称路径上，观测到一条电子能带的显著分裂。测得约 0.6 eV 的自旋分裂大尺度以及该能带恰位于费米能之下的位置，凸显了交错磁体对于基于由交换能标度产生的稳健破时间反演对称响应的自旋电子学的重要意义——其如同铁磁体般对此响应敏感，同时对外部磁场不敏感并拥有 THz 动力学，如同反铁磁体。
引用
@article{arxiv.2310.17280,
title = {Direct observation of altermagnetic band splitting in CrSb thin films},
author = {Sonka Reimers and Lukas Odenbreit and Libor Smejkal and Vladimir N. Strocov and Procopios Constantinou and Anna Birk Hellenes and Rodrigo Jaeschke Ubiergo and Warlley H. Campos and Venkata K. Bharadwaj and Atasi Chakraborty and Thiboud Denneulin and Wen Shi and Rafal E. Dunin-Borkowski and Suvadip Das and Mathias Kläui and Jairo Sinova and Martin Jourdan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.17280},
year = {2024}
}
备注
13 pages, 9 figures (including supplementary information)