中文

ultraspin CrSb 薄片的次磁性

强关联电子 2025-10-02 v1 材料科学

摘要

次磁性材料表现出动量相关的自旋分裂,却没有净磁化,兼具铁磁体和反磁性体的特性,因而在自旋电子学应用中具有高度的潜力。CrSb是理想的候选材料,具有约700 K的高Neél温度,以及约0.6-1 eV的大交换驱动分裂。我们利用ab initio计算方法,考察了各种 orientations 的 ultrathin 薄片。我们发现,(100) 取向的薄片具有自旋退化能带。在(0001)取向的薄片中,交换驱动的次磁性自旋分裂会消失,但包括自旋轨道耦合后,可恢复约70 meV的残余各向异性分裂。相比之下,(110)取向的薄片表现出约400 meV的次磁性自旋分裂,成为实现大规模交换驱动次磁性的稳健候选材料。

关键词

引用

@article{arxiv.2510.00985,
  title  = {Altermagnetism of ultrathin CrSb slabs},
  author = {Brahim Marfoua and Mohammad Amirabbasi and Marcus Ekholm},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2510.00985},
  year   = {2025}
}