层状交错磁性化合物 CoNb₄Se₈ 的电子结构
介观与纳米尺度物理
2025-03-24 v1 材料科学
摘要
近期，人们对交错磁性 (altermagnetism) 产生了日益浓厚的兴趣，这是一种新型磁性形式，其特征是在既无净磁矩也无自旋轨道耦合的情况下仍具有独特的自旋劈裂。尽管已有众多理论预测，但在真实材料中此类自旋劈裂的实验证据仍然有限。在本研究中，我们结合角度分辨光电子能谱 (ARPES) 和密度泛函理论 (DFT) 计算来研究交错磁性候选材料 CoNb₄Se₈ 的电子能带结构。该材料在 NbSe₂ 层中具有有序的插层 Co 原子亚晶格。磁化和电阻率测量揭示了 168 K 以下的反铁磁性 onset。依赖温度 ARPES 数据结合 DFT 计算揭示了 MGM 高对称方向上的自旋劈裂能带。在这种高温交错磁性材料中观察到自旋劈裂，为探索其电子特性及其在自旋电子学技术中的潜在应用开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.2503.16670,
title = {Electronic structure of a layered altermagnetic compound CoNb4Se8},
author = {Anup Pradhan Sakhya and Mazharul Islam Mondal and Milo Sprague and Resham Babu Regmi and Arun K Kumay and Himanshu Sheokand and Igor. I. Mazin and Nirmal J. Ghimire and Madhab Neupane},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.16670},
year = {2025}
}
备注
7 pages, 4 figures