层间插层过渡金属二碲化物 CoNb₄Se₈ 中的交错磁性
强关联电子
2026-02-10 v1 材料科学
摘要
交错磁体（AMs）是一类新型磁性材料，结合了铁磁体和反铁磁体的有益自旋电子学性质，近年来引起了广泛关注。本文在一种层间插层过渡金属二碲化物 CoNb₄Se₈ 中发现了交错磁性，该材料在 NbSe₂ 层之间具有有序的插层 Co 原子亚晶格。合成了单晶，并使用单晶衍射和扫描隧道显微镜进行了结构表征。磁性测量显示在 168 K 以下具有易轴反铁磁性。密度泛函理论（DFT）计算表明 A 型反铁磁序且易轴自旋方向为基态，并通过单晶中子衍射实验得到验证。该磁性状态下的电子能带结构计算显示了自旋劈裂能带，确认了该化合物中的交错磁性。CoNb₄Se₈ 的层状结构为测试与交错磁性相关的各种预测性质提供了一个有前景的平台。
引用
@article{arxiv.2408.08835,
title = {Altermagnetism in the layered intercalated transition metal dichalcogenide CoNb$_4$Se$_8$},
author = {Resham Babu Regmi and Hari Bhandari and Bishal Thapa and Yiqing Hao and Nileema Sharma and James McKenzie and Xinglong Chen and Abhijeet Nayak and Mohamed El Gazzah and Bence Gábor Márkus and László Forró and Xiaolong Liu and Huibo Cao and J. F. Mitchell and I. I. Mazin and Nirmal J. Ghimire},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.08835},
year = {2026}
}