g-wave 交替磁体的手性磁激发与域纹理

交替磁体（AM）是一种新型自旋补偿材料，其中相反的自旋亚晶格通过晶体旋转相连，导致其电子等能面被自旋分裂。虽然立方和四方晶体对称性倾向于产生自旋分裂具有d波对称性的AM，但六方AM（如CrSb和MnTe）是g-wave AM。本文研究了g-wave AM的纯磁模式和自旋纹理，发现其在易轴（CrSb）和易平面（MnTe）材料中存在显著差异。我们表明在CrSb中，手性磁子分支的分裂具有g波对称性，每个分支携带固定的动量无关的磁矩。交替磁分裂不受易轴各向异性的影响，与非相对论极限相同。在MnTe的磁子分裂中，然而并不严格具有g波对称性 due to其易平面各向异性。相反，每个分支的磁矩变为动量依赖的，其分布具有g波对称性。为将交替磁分裂概念推广到非相对论极限之外，我们引入一种替代方法，直接可观测的分裂参数，包含磁子本征能以及其磁矩，并在易轴和易平面情况下均具有g波对称性。与之相关的交替磁域墙在易轴CrSb中具有取决于其取向的净磁化。