InAs/InGaAs/InAlAs 量子阱结构的磁致发光
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v2
摘要
研究了双阶带隙 InAs/InGaAs/InAlAs 量子阱 (QWs) 的光致发光 (PL) 和高度圆偏振磁致发光（在 6 T 下高达 50%）。观察到直至室温的明亮 PL，表明这些 QW 中的辐射复合具有高量子效率。圆偏振的符号表明它源于由塞曼效应引起的重空穴自旋极化。尽管在磁场中 PL 谱线具有强烈的圆偏振性，但未观察到反向偏振 PL 谱线之间的能量位移。结果表明，电子和空穴的 g 因子符号相同且量级相近。
引用
@article{arxiv.1401.7515,
title = {Magneto-Photoluminescence of InAs/InGaAs/InAlAs quantum well structures},
author = {Ya. V. Terent'ev and S. N. Danilov and J. Loher and D. Schuh and D. Bougeard and D. Weiss and M. V. Durnev and S. A. Tarasenko and M. S. Mukhin and S. V. Ivanov and S. D. Ganichev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.7515},
year = {2015}
}