II型InSb/InAs纳米结构中塞曼效应的光致发光研究
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v1
摘要
通过在法拉第几何结构中外加磁场下的圆偏振光致发光研究，在具有超薄InSb插入层的InAs基体中的II型窄带隙异质结构中观察到了高达100%的电子自旋极化。在高温或强激发的极限下，极化度急剧下降，改变符号，并最终饱和在10%的值。观察到的效应可以用InAs基体中电子导带和InSb插入层中受限重空穴态的强塞曼分裂来解释，这是由于两种载流子都具有大的本征g因子。使用紧束缚方法计算的单层尺度InSb/InAs量子阱中的空穴基态与观测到的发射波长吻合良好。发射极化度的温度依赖性与在所提出的唯象模型框架内进行的理论估计吻合良好。
引用
@article{arxiv.1212.4341,
title = {Photoluminescence studies of Zeeman effect in type-II InSb/InAs nanostructures},
author = {Ya. V. Terentyev and M. S. Mukhin and A. A. Toropov and M. O. Nestoklon and B. Ya. Meltser and A. N. Semenov and V. A. Solovyev and S. V. Ivanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.4341},
year = {2015}
}
备注
19 pages, 9 figures